快科技2月27日消息，下半據國外媒體最新消息稱(chēng)，年星三星將在今年下半年，將使開(kāi)始使用中國存儲專(zhuān)利技術(shù)生產(chǎn)相應的用中芯片。
近期，國存三星電子已與中國存儲芯片廠(chǎng)商長(cháng)江存儲簽署了開(kāi)發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的儲專(zhuān)產(chǎn)芯“混合鍵合”技術(shù)的專(zhuān)利許可協(xié)議。
按照消息人士的利技說(shuō)法，三星計劃于2025年下半年量產(chǎn)下一代V10 NAND，術(shù)生將使用長(cháng)江存儲的下半專(zhuān)利技術(shù)，特別是年星在“混合鍵合”技術(shù)方面。
三星之所以選擇向長(cháng)江存儲獲取“混合健合”專(zhuān)利授權，將使主要由于目前長(cháng)江存儲在“混合鍵合”技術(shù)方面處于全球領(lǐng)先地位。用中并且三星經(jīng)過(guò)評估認為，國存從下一代V10 NAND開(kāi)始，儲專(zhuān)產(chǎn)芯其已經(jīng)無(wú)法再避免長(cháng)江存儲專(zhuān)利的利技影響。
對于中國存儲行業(yè)來(lái)說(shuō)，這確實(shí)是振奮人心的消息，畢竟大家從落后一直到趕超，這也從側面反映了中國科技自主創(chuàng )新的成果。