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12英寸碳化硅襯底實(shí)現激光剝離

來(lái)源:琨玉秋霜網(wǎng)時(shí)間:2025-05-13 01:46:18

12英寸碳化硅襯底實(shí)現激光剝離

  科技日報北京3月27日電 (記者劉園園)記者27日從西湖大學(xué)獲悉,英寸由該校孵化的碳化西湖儀器(杭州)技術(shù)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“西湖儀器”)成功開(kāi)發(fā)出12英寸碳化硅襯底自動(dòng)化激光剝離技術(shù),解決了12英寸及以上超大尺寸碳化硅襯底切片難題。硅襯光剝

  與傳統的底實(shí)硅材料相比,碳化硅具有更寬的現激禁帶能隙以及更高的熔點(diǎn)、電子遷移率和熱導率,英寸可在高溫、碳化高電壓條件下穩定工作,硅襯光剝已成為新能源和半導體產(chǎn)業(yè)迭代升級的底實(shí)關(guān)鍵材料。

  “目前,現激碳化硅襯底材料成本居高不下,英寸嚴重阻礙了碳化硅器件的碳化大規模應用?!蔽骱髮W(xué)工學(xué)院講席教授仇旻介紹,硅襯光剝碳化硅行業(yè)降本增效的底實(shí)重要途徑之一,是現激制造更大尺寸的碳化硅襯底材料。與6英寸和8英寸襯底相比,12英寸碳化硅襯底材料擴大了單片晶圓上可用于芯片制造的面積,在同等生產(chǎn)條件下,可顯著(zhù)提升芯片產(chǎn)量,同時(shí)降低單位芯片制造成本。

  據國際權威研究機構預測,到2027年,全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規模將達67億美元,年復合增長(cháng)率達33.5%。去年底,國內企業(yè)披露了最新一代12英寸碳化硅襯底。12英寸及以上超大尺寸碳化硅襯底切片需求隨之出現。

  此前,西湖儀器已率先推出8英寸導電型碳化硅襯底激光剝離設備。為響應最新市場(chǎng)需求,西湖儀器迅速推出超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù),將超快激光加工技術(shù)應用于碳化硅襯底加工行業(yè),完成了相關(guān)設備和集成系統的開(kāi)發(fā)。

  “該技術(shù)實(shí)現了碳化硅晶錠減薄、激光加工、襯底剝離等過(guò)程的自動(dòng)化?!背饡F介紹,與傳統切割技術(shù)相比,激光剝離過(guò)程無(wú)材料損耗,原料損耗大幅下降。

  仇旻說(shuō),新技術(shù)可大幅縮短襯底出片時(shí)間,適用于未來(lái)超大尺寸碳化硅襯底的規?;慨a(chǎn),進(jìn)一步促進(jìn)行業(yè)降本增效。